碳化硅（SiC）功率器件因其优异的性能，在高频、高温、高效率的应用中越来越受到重视。本文将以SP95N65CTO为例，详细介绍这款650V SiC MOSFET的关键特性、电气参数与应用场景。

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一、产品概述

SP95N65CTO是一款采用TOLI（TO-247-3L） 封装的SiC MOSFET，具备以下核心参数：

• 耐压值（V(BR)DSS）: 650V

• 典型导通电阻（RDS(on)）: 25mΩ @ VGS=10V

• 连续漏极电流（ID）: 95A @ Tc=100℃

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二、主要特性

• ✅ 高速开关：低电容设计，支持高频开关

• ✅ 低导通电阻：在高阻断电压下仍保持较低的RDS(on)

• ✅ 易于并联：适合大电流应用

• ✅ 驱动简单：兼容常规驱动电路

• ✅ 符合RoHS标准：环保材料

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三、电气特性摘要（Ta=25℃）

极限参数（Absolute Maximum Ratings）

参数	符号	数值	单位
漏源电压	VDS	650	V
栅源电压范围	VGSMAX	-10 ~ +22	V
推荐栅源电压	VGSoP	-5 ~ +18	V
连续漏极电流（Tc=25℃）	ID	135	A
脉冲漏极电流	IDM	280	A
结壳热阻	RθJC	0.21	℃/W

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静态与动态特性

参数	符号	条件	典型值	单位
阈值电压	VGS(th)	VDS=VGS, ID=12mA	2.8	V
导通电阻	RDS(on)	VGS=18V, ID=40A, Tj=25℃	25	mΩ
输入电容	Ciss	VDS=600V, f=1MHz	3090	pF
总栅极电荷	Qg	VDS=400V, ID=40A	125	nC
开启延迟时间	Td(on)	VDS=400V, ID=40A	4.4	ns

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四、体二极管特性

参数	符号	条件	典型值	单位
正向电压	VSD	VGS=-5V, IS=20A, Tj=25℃	3.7	V
反向恢复时间	trr	VGS=-3.5/+18V, IS=40A	16	ns
反向恢复电荷	Qrr	同上	125	nC

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五、应用领域

SP95N65CTO适用于以下高功率应用场景：

• 功率因数校正（PFC）模块

• 开关电源（SMPS）

• 光伏逆变器

• UPS电源系统

• 电机驱动

• 高压DC/DC变换器

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六、封装与订购信息

• 封装类型：TOLI (TO-247-3L)

• 每卷数量：2000颗/卷

• 器件标记：SP95N65CTO + 周代码

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七、总结

SP95N65CTO是一款性能出色、可靠性高的650V SiC MOSFET，适用于多种高功率、高频率的工业与能源应用。其低导通电阻、高速开关特性以及良好的热性能，使其成为替代传统硅基MOSFET的优秀选择。