一、相同点
- 核心原理
- 均基于半导体材料的受激辐射机制，通过电子-空穴复合产生光子。
- 依赖谐振腔实现光反馈与放大，形成激光振荡。
- 采用电泵浦方式驱动，电流注入激发载流子，实现粒子数反转。
- 材料体系
- 主要使用III-V族化合物半导体（如GaAs、InP），通过外延生长技术（MBE/MOCVD）制备。
- 波长覆盖范围相似（可见光到中红外），例如：
- 850 nm（多模光纤通信）
- 1310 nm/1550 nm（单模光纤通信）
- 1950 nm（气体传感）。
- 基本结构
- 均包含有源区（量子阱或体材料）、限制层（限制载流子与光场）和电极（注入电流）。
- 输出光通过解理面或镀膜窗口发射，支持连续波（CW）或脉冲模式工作。
二、不同点
| 特性 | LD（普通半导体激光器） | DFB激光器 |
|---|---|---|
| 谐振腔设计 | 依赖法布里-珀罗（F-P）腔，由两端面反射镜提供光反馈。 | 集成布拉格光栅，通过分布式反射实现波长选择性反馈，无端面反射镜。 |
| 光谱特性 | 多纵模振荡（增益谱宽约10-100 nm），模式间隔Δλ≈λ²/(2nL)，光谱线宽GHz级。 | 单纵模振荡，边模抑制比（SMSR）>45 dB，线宽<10 MHz（通信级），输出纯净度高。 |
| 温度稳定性 | 温度敏感性强（约0.5 nm/°C波长漂移）， 需外部温控（TEC）。 | 光栅锁定波长，温度漂移小（约0.1 nm/°C），支持动态调谐（±2 nm）。 |
| 调制特性 | 直接调制易引发多模跳变， 限制传输速率（<10 Gb/s）。 | 高速调制（>40 Gb/s）下仍保持单模， 适合长距通信（如80 km无中继传输）。 |
| 输出功率 | 覆盖毫瓦级（通信）至瓦级（工业加工），动态范围大。 | 通常为毫瓦级（1-10 mW），高功率型号可达100 mW。 |
| 效率 | 电光转换效率约30-50%（高功率LD可达60%）。 | 效率略低（20-40%），因光栅引入额外损耗。 |
| 制造工艺 | 结构简单，通过解理、镀膜完成，成本低。 | 光栅刻蚀工艺复杂（如电子束光刻），成本高。 |
| 应用场景 | 短距通信（如千兆以太网）、工业加工（激光打标）、气体传感（CO₂检测）。 | 高速通信（5G前传、DWDM系统）、精密传感（光纤BOTDA）、量子光学（QKD）。 |
三、关键差异解析
- 单模稳定性
- LD因F-P腔的多模特性，在高速调制或温度变化时易出现模式跳变，限制传输距离。
- DFB通过光栅选频实现单模锁定，即使在高调制速率下仍能保持稳定输出，适合长距通信。
- 波长控制
- LD的波长随温度漂移显著，需依赖TEC和热敏电阻进行粗略控制。
- DFB的光栅结构可精确锁定波长，支持动态调谐（如通过电流或温度调节），满足DWDM系统对波长间隔的严苛要求。
- 成本与复杂性
- LD结构简单，适合大规模生产，成本低。
- DFB需精密光栅刻蚀，制造难度高，但性能优势使其在高端市场占据主导地位。
四、应用选择依据
- 选LD的场景：
- 短距、低成本需求（如10 km以内的千兆以太网）。
- 高功率应用（如激光打标、焊接）。
- 宽光谱需求（如多参数气体传感）。
- 选DFB的场景：
- 高速、长距通信（如5G前传、80 km无中继传输）。
- 精密传感（如分布式光纤应变/温度测量）。
- 量子光学实验（如单频、低噪声光源需求）。
