知识点16：

同上篇一样，MOS管主要有3个工作区域：

截止区（Cut-off Region）： < ，没有沟道形成，几乎没有电流。

线性区/三极管区（Triode Region）：  > 且  较小，沟道完整，电流随   线性增加。

饱和区（Saturation Region）：  > 且   ≥  − ，沟道在漏极一端被“夹断”，电流基本不再随   ​ 增加而增加（但实际上会略有增加，这就是CLM：沟道长度调制效应Channel Length Modulation）。

MOS管饱和（夹断）

以NMOS为例，其工作在饱和区电流公式：

即电流主要由栅压决定，但同时会随漏压轻微增长。

组成部分为：

• ​：漏极电流
• ：跨导参数。这是一个由制造工艺决定的常数， =μp⋅Cox′。
  • • μp ​：空穴迁移率。
    • Cox′​：单位面积的栅氧层电容。
• ​：宽长比，是电路设计者可以调整的核心尺寸参数。
• ( )：过驱动电压，是栅电压超出阈值电压的部分，是驱动晶体管导通的有效电压。
• λ: 沟道长度调制参数，衡量CLM效应的强度。
• ：饱和区电压，通常等于 

其中：公式的主体部分 就是理想饱和电流  。这说明电流主要由栅源电压 控制（平方关系）。

括号内的部分 [ )] 是一个修正因子。它说明了在   超过饱和电压   之后，漏极电流  ​ 并不会像理想情况那样完全平坦，而是会随着   的增大而轻微地、线性地增加。

因此在MOSFET的输出特性曲线图中（ ​ vs  ），饱和区的曲线并非完全水平，而是有一个小小的上扬斜率。这个斜率就是由 λ 参数决定的。λ 越大，斜率越陡，CLM效应越明显。