楚存科技SD NAND贴片式T卡—高性能存储解决方案、赋能AI智能硬件应用

在 AIoT 技术重构产业生态的时代浪潮中，智能硬件正从单一功能终端向数据枢纽演进 —— 智能家居设备日均产生 TB 级交互数据，工业物联网传感器需实时存储生产参数，车载智能系统更要在毫秒级响应中完成音视频数据的读写。传统存储方案在功耗控制、体积适配与环境耐受性上的局限性，已成为制约智能硬件性能升级的瓶颈。楚存科技深耕存储芯片领域多年，汇聚精英力量，每一个技术细节都经过反复打磨，为智能硬件存储难题提供系统性解决方案。

最近，拿了一款楚存科技SD NAND贴片式T卡样品，接下来测试下这颗芯片的性能。使用读卡器+MyDiskTest软件工具，在win11系统测试环境下对楚存科技存储芯片型号:CSD16GAQIGY进行测试。首先进行基准测试，分别测试其是否为快速扩容、以及数据完整性测试和读写速度测试。然后进行高低温测试、跌落冲击测试和突然断电测试。结果展现出工业级可靠性与高性能适配能力，在性能、功耗、环境耐受性与可靠性方面达到智能硬件存储需求。

测试视频

一、智能硬件浪潮下的存储需求

二、楚存科技 SD NAND 存储芯片介绍

三、性能实测

3.1 基准测试

3.1.1 快速扩容测试

3.1.2 数据完整性测试

3.1.3 读写速度测试

3.2 高低温测试

3.3 跌落测试

3.4 断电测试

四、总结

一、智能硬件浪潮下的存储需求

在人工智能、物联网与 5G 技术深度融合的时代背景下，智能硬件产业正以惊人的速度蓬勃发展。从智能家居设备实现全屋智能互联，到智能穿戴设备实时监测健康数据；从工业物联网系统精准把控生产流程，再到车载智能终端提供沉浸式交互体验，各类智能硬件已广泛渗透至生活、生产的各个领域。随着智能硬件功能不断升级，数据处理与存储成为其核心竞争力的关键要素，对存储设备的性能、可靠性和功耗提出了更高要求。

在智能家居场景中，智能摄像头需持续记录高清视频，智能音箱要快速读取音频资源，这些设备不仅需要大容量存储满足数据积累，更要求存储产品具备高读写速度，以确保数据的实时处理与流畅传输。智能穿戴设备因体积小巧、电池容量有限，对存储芯片的尺寸、功耗极为敏感，同时还需在运动颠簸、汗水侵蚀等复杂环境下保持稳定运行。工业物联网领域，生产数据的实时采集与分析关乎企业运营效率和产品质量，存储设备必须具备极强的稳定性与安全性，以应对高温、震动、电磁干扰等严苛工业环境。车载智能终端由于涉及导航、娱乐、自动驾驶等多重功能，既要保证海量数据的快速存储与读取，还要满足车规级的安全标准，确保数据在极端温度、频繁震动条件下的完整性。

然而，传统存储方案在面对智能硬件多样化需求时，逐渐暴露出性能瓶颈与适配不足等问题。此时，楚存科技 SD NAND 贴片式 T 卡凭借卓越性能，为智能硬件行业带来了全新的高性能存储解决方案。

二、楚存科技 SD NAND 存储芯片介绍

（一）楚存 SD NAND产品概述

楚存科技 SD NAND 是一款高度集成的闪存存储器，支持 SD2.0、3.0 标准协议，通过专用串行接口实现高速可靠的数据传输。其核心设计面向多媒体消费类应用，采用无机械部件的卡片式结构，兼具成本优势与机械稳定性，可直接适配支持 SD2.0 标准的设备。产品特别适合移动及电池供电场景，如音频播放器、电子词典、录音笔、可穿戴产品、电子教育类等，依托 MPEG 等数据压缩技术，可满足各类多媒体数据的存储需求。

（二）核心特性：高性能与可靠性的技术融合

1.标准兼容性

符合 SD Specification V2.0、3.0标准，确保与主流设备接口兼容。

2.电气性能与传输效率

通信电压范围 2.7-3.6V，支持宽电压工作环境；

时钟速率灵活可调：标准模式 0-25MHz，高性能模式可达 0-50MHz；

四线并行数据传输时，最高数据速率达 25MB / 秒，满足实时数据处理需求。

3.安全与可靠性机制

支持密码保护（CMD42-LOCK_UNLOCK 命令），防止未授权访问；

集成先进的错误恢复系统，包括强大的 ECC（错误校验与纠正）算法；

全局磨损均衡（Global Wear Leveling）技术，延长存储介质使用寿命。

4.低功耗与电源管理

优化的电源管理方案，待机电流最大值 250μA、平均值 120μA，工作电流最大值 100mA、平均值 50mA，适配电池驱动设备。

（三）型号CSD16GAQIGY 规格参数

参数类型	具体指标
CSD16GAQIGY	2GB（目前楚存科技将SD NAND容量开到多个不同容量尺寸供客户选择，1024Gb和2048Gb将陆续推出）
顺序读写速度	读取 15MB/s，写入 7MB/s （测试条件：AU6437 读卡器 + H2Test V1.4 软件 + Win10 系统）
封装尺寸	6.60×8.00mm，超薄设计适配紧凑空间
操作温度范围	工作状态 - 10℃~85℃，非工作状态 - 15℃~100℃
湿度范围	工作与非工作状态均为 25%~85%（无冷凝）
ESD 防护	接触放电 ±2kV/±4kV，空气放电 ±15kV（IEC 61000-4-2 标准）

（四）引脚配置与接口定义

SD NAND 采用 8 引脚 LGA 封装，支持 SD 模式与 SPI 模式双接口，具体引脚功能如下：

引脚编号	名称	类型	SD 模式描述	SPI 模式描述
1	SDD2	I/O/PP	数据线 [Bit2]	预留（Reserved）
2	SDD3	I/O/PP	数据线 [Bit3]	片选（CS，低电平有效）
3	SCLK	I	时钟信号	时钟信号
4	VSS	S	电源地	电源地
5	CMD	PP	命令 / 响应线	数据输入（DI）
6	SDD0	I/O/PP	数据线 [Bit0]	数据输出（DO）
7	SDD1	I/O/PP	数据线 [Bit1]	预留（Reserved）
8	VCC	S	电源电压（2.7-3.6V）	电源电压（2.7-3.6V）

（五）操作环境与可靠性设计

1.温度与湿度适应性

可在 - 10℃~85℃环境下稳定工作，非工作状态下耐受 - 15℃~100℃温度范围，满足工业级应用场景；

湿度控制要求严格，工作与存储环境湿度均需保持在 25%~85%（无冷凝），避免芯片受潮失效。

2.静电防护（ESD）
符合 IEC 61000-4-2 标准，接触放电耐受 ±2kV/±4kV，空气放电耐受 ±15kV，降低生产与使用中的静电损坏风险。

（六）电路设计建议

时钟线（SCLK）需预留电阻位置（具体阻值根据实际需求配置），优化信号完整性；

电源滤波电容（C1，2.2μF）需尽可能靠近 VCC 引脚，减少电源纹波；

数据线（SDD0~SDD3）、时钟线（SCLK）和命令线（CMD）建议采用 GND 包围布局，若无法实现，线间距需为线宽的 2 倍以上，降低串扰。

（七）型号 CSD16GAQIGY 的编码规则

型号组成拆解

CSD 16G A Q I G Y  
│  │ │ │ │ │ └── 包装类型：Y=托盘（Tray）  
│  │ │ │ │ └──── 温度范围：I=商业级（-10℃~85℃）  
│  │ │ │ └────── 封装类型：Q=Gbit LGA8（6.6×8mm）  
│  │ │ └──────── 版本代际：A=A版本  
│  │ └────────── 存储密度：16G=2GB（16Gbit）  
│  └──────────── 产品系列：SD=2.7V-3.6V SD2.0 NAND  
└─────────────── 公司前缀：C=楚存科技（CHUCUN）

型号中 “G” 表示产品符合无铅（Pb Free）与无卤素（Halogen Free）标准，满足环保要求。

三、性能实测

3.1 基准测试

3.1.1 快速扩容测试

接下来使用读卡器+MyDiskTest软件工具对楚存科技存储芯片型号CSD16GAQIGY进行基准测试，测试环境为win11系统。

接下来分别测试其是否为快速扩容、以及数据完整性测试和读写速度测试。

首先进行快速扩容测试，测试结果如下

快速测试初步判定为非扩容盘。

3.1.2 数据完整性测试

选中 “数据完整性校验”，用于验证存储设备写入、读取数据时是否会出现错误（如扩容盘写入超实际容量数据会丢失 / 出错）。

测试结果：显示 “数据完整性校验结束，测试通过！”，说明在本次校验中，数据写入、读取未发现错误，设备表现稳定 。

3.1.3 读写速度测试

选中 “读写速度测试”，点击 “开始测试” 后，软件会执行一系列模拟读写操作，验证设备读写速度性能。

所有步骤全 “OK”+ 块级性能清晰，说明性能稳定，通过数据可判断在本次测试环境下的读写能力，适配日常 / 专业存储需求。进一步证明了楚存科技SD NAND存储芯片，在未来实际应用中具有良好的数据安全性与读写稳定性，适用于智能网关、智能硬件等对长期运行和数据一致性有较高要求的嵌入式系统。

3.2 高低温测试

为验证楚存科技 SD NAND 存储芯片在高温环境下的性能稳定性，模拟实际应用中可能遭遇的高温场景（如智能硬件长时间运行、户外高温环境等），通过对芯片升温后复测读写速度，评估其高温适应性。

使用的升温工具为热水杯，来提供稳定热源使芯片升温。

升温后再次测试其读写速度性能。

高温测试后，读写效率未出现衰减，表现依然稳定。

为验证楚存科技 SD NAND 存储芯片在低温环境下的性能表现，模拟智能硬件可能面临的低温场景（如户外低温、冷链设备等），利用加冰块的水杯营造低温环境，通过 MyDiskTest 软件复测芯片读写速度，对比常温数据，评估其低温适应性。

读写效率未出现衰减，表现依然稳定。

3.3 跌落测试

为验证楚存科技 SD NAND 存储芯片在物理冲击场景下的性能稳定性，模拟智能硬件实际使用中可能遭遇的跌落、震动情况（如手持设备意外掉落、工业场景设备震动），通过多次跌落测试后复测读写速度，评估芯片抗物理冲击能力。

读写效率未出现衰减，表现依然稳定。

3.4 断电测试

为验证楚存科技 SD NAND 存储芯片在异常供电场景下的数据可靠性，模拟智能硬件实际使用中可能遭遇的意外断电、电源波动情况（如设备意外掉电、电池供电不稳定），通过多次通断电循环，检测数据存储与读写的完整性，评估芯片数据保护能力。

多次突然断电后，先前存储的文件数据完整性未受影响。

四、总结

在 AI 智能硬件向 “边缘计算 + 实时存储” 演进的当下，楚存 SD NAND 贴片式 T 卡以标准化接口、工业级可靠性与极致功耗控制，为智能网关、医疗监测设备、智能家居中控等场景提供了 “即插即用” 的存储升级方案。随着 5G 物联网终端渗透率的持续提升，该产品将成为推动智能硬件从 “联网化” 向 “智能化” 跨越的核心存储引擎。

目前楚存科技将SD NAND容量开到10个不同容量、尺寸供客户选择，1024Gb和2048Gb将陆续推出...