电源芯片是电子系统中用于管理、转换和分配电能的集成电路,根据功能和应用场景的不同,主要分为以下几类:
一、线性稳压器(LDO, Low Dropout Regulator)
LDO内部的基本电路情况如下:
LDO内部主要分为四大部件:取样部分、基准电压部分、误差放大部分和晶体管调整部分
这里的晶体管调整部分可以是MOS管也可以是三极管控制,区别在于最小压差区不一样,如果是MOS管的话,此时MOS是工作在饱和区的,即此时Id电流只受Ugs控制,工作在该区域的场效应管同一个Uds,不同的Ugs产生不同的Id,此时的场效应管相当于一个电压控制电流源,场效应管作为放大器件应用时,都工作在该区域,因此也叫放大区。
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功能:通过线性调整输入电压来输出稳定的低压,效率较低(压差越大效率越低)。
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特点:结构简单、噪声低、成本低,但发热量大。
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典型应用:低噪声电路(如传感器、音频设备)、低压差场景。
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例子:LM1117(1.8V 2.5V 3.3V 5V固定输出或者1.25V-13.8V可调输出,压降1.2V时最大800mA输出负载电流,SOT-223封装,带限流和热关断功能)、AMS1117、LT1086。
插播:
LDO的限流和热关断是什么作用?
在LDO(低压差线性稳压器)中,限流(Current Limit)和热关断(Thermal Shutdown)是两项关键的保护功能,用于防止芯片因过载或过热而损坏。以下是它们的详细作用和工作原理:
1. 限流(Current Limit)
作用
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限制LDO的输出电流,防止因负载短路或过载导致芯片或外部电路损坏。
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避免因电流过大烧毁内部功率管(Pass Transistor)或PCB走线。
工作原理
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LDO内部通常有一个电流检测电路,当输出电流超过设定的阈值(如1.5A)时,反馈环路会主动降低输出电压或切断电流,将输出电流限制在安全范围内。
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两种常见限流模式:
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恒流限流(Constant Current Limit):电流超限后,输出电流保持恒定,电压下降(类似恒流源)。
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折返限流(Foldback Current Limit):电流超限后,进一步降低电流阈值(如降至0.5A),减少芯片功耗,避免过热(但可能导致负载无法启动)。
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典型表现
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当负载短路时,输出电压降至接近0V,但电流被限制在安全值(如1A)。
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若负载恢复正常,LDO会自动恢复输出。
注意
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限流值需略高于负载的正常工作电流,避免误触发(例如:负载需1A,限流设为1.5A)。
2. 热关断(Thermal Shutdown)
作用
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当芯片温度超过安全阈值(通常125°C~150°C)时,强制关闭输出,防止过热损坏。
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保护LDO内部元件(如功率管、控制电路)因高温失效。
工作原理
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LDO内部集成温度传感器,实时监测芯片结温(Junction Temperature)。
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当温度超过阈值,热关断电路触发,关闭功率管,停止输出电压。
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温度降至安全范围(如100°C以下)后,芯片可能自动恢复(Auto-recovery)或需手动重启(如重新上电)。
典型场景
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长时间大电流工作(如输入输出压差大,导致功耗 P=(Vin−Vout)×IoutP=(Vin−Vout)×Iout 过高)。
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散热不良(如PCB布局无散热铜箔或环境温度高)。
注意
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热关断是“最后防线”,设计时应通过优化散热(如加散热片、降低压差)避免频繁触发。
限流与热关断的协同关系
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限流先触发:若负载过流,限流电路首先动作,减少电流以降低功耗,可能避免温度进一步升高。
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热关断后备保护:若限流后仍无法控制温升(如环境温度过高),热关断最终生效。
实际设计中的考虑
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避免误触发:
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限流值需留有余量(如负载峰值电流的1.2~1.5倍)。
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确保散热设计满足功耗要求(计算温升:Tj=P×RθJA+TambientTj=P×RθJA+Tambient)。
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故障排查:
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若LDO频繁热关断,需检查输入输出电压差、负载电流、散热条件。
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使用示波器观察输出电流/电压波形,判断是过流还是散热问题。
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常见LDO的规格示例
功能 | 典型参数 | 说明 |
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限流阈值 | 1A~2A(如AMS1117-3.3) | 需查阅具体型号手册 |
热关断温度 | 125°C~150°C(如TPS7A4700) | 恢复温度通常比关断温度低20°C~30°C |
通过合理利用限流和热关断功能,可以显著提高LDO的可靠性和系统安全性。
压差(Dropout Voltage)是LDO维持稳定输出电压所需要的最小输入-输出电压差(Vin-Vout),压差越大,效率越低(Vout/Vin)
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普通LDO:压差通常在 0.5V~2V 之间,具体取决于工艺和设计。
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例如:AMS1117-3.3(压差约1.1V@1A),HT7333(压差约0.2V@100mA)。
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超低压差LDO(VLDO):压差可低至 50mV~200mV(如TPS7A系列)。
一般压差与负载电流息息相关,负载电流越大LDO的压差也会越大,对于LDO压降越小效率越高发热越少,但是成本也会越高,对于一些输入电压高的非敏感场景也可以采用低成本的高压差LDO
设计法则:
计算最小输入电压:Vin≥Vout+Vdropout(max)
验算功耗和温升:P=(Vin-Vout)*Iload
选择合适的封装:一般DFN封装的散热优于SOT-23
二、开关稳压器(Switching Regulator)
通过高频开关和储能元件(电感、电容)实现高效电压转换,分为以下子类:
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降压(Buck):输入电压 > 输出电压(如12V转5V),效率可达90%以上。
例子:LM2596、MP2307。 -
升压(Boost):输入电压 < 输出电压(如5V转12V)。
例子:XL6009、TPS61200。 -
升降压(Buck-Boost):输入电压可高于或低于输出电压(如锂电池供电场景)。
例子:LM3478、LT8705。 -
反激(Flyback):隔离式拓扑,常用于AC-DC电源。
三、电源管理集成电路(PMIC, Power Management IC)
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功能:集成多种电源功能(如多路稳压、充电管理、电量监测等),用于复杂系统供电。
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特点:高集成度,简化设计。
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典型应用:智能手机、嵌入式系统、IoT设备。
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例子:TI的TPS系列、高通PMIC芯片。
四、 电荷泵(Charge Pump)
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功能:通过电容储能实现电压升降(无电感),效率中等,功率较小。
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特点:体积小、无噪声(适用于敏感电路),但输出电流有限。
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典型应用:LED驱动、LCD偏压、小功率升压。
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例子:LTC1044、MAX660。
五、AC-DC转换器
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功能:将交流电(如220V AC)转换为直流电(如5V/12V DC)。
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拓扑结构:反激、正激、LLC谐振等。
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典型应用:适配器、家电电源、工业电源。
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例子:UC3842(PWM控制器)、OB2532(集成MOSFET)。
六、DC-DC模块(隔离/非隔离)
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隔离型:输入输出电气隔离(如1kV耐压),用于工业、医疗设备。
例子:TI的ISO系列。 -
非隔离型:常见于板级电压转换。
七、电池管理芯片(BMS IC)
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功能:充电管理(如锂电池)、电量监测、保护(过充/过放)。
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典型应用:移动设备、电动汽车、储能系统。
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例子:TP4056(充电)、BQ系列(TI)。
八、其他特殊类型
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热插拔控制器:防止带电插拔损坏电路(如服务器电源)。
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数字电源IC:通过软件配置参数(如数字PWM控制)。
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多相控制器:用于CPU/GPU的高电流供电(如DrMOS方案)。
选择电源芯片的关键因素
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输入/输出电压范围
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输出电流需求
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效率与散热要求
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噪声敏感度(如LDO vs 开关电源)
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成本与封装尺寸
根据具体需求(如效率、体积、成本)选择合适的类型是电源设计的关键步骤
电源开关SGM2531