MMBFJ310LT1G 是一款 N沟道JFET晶体管 ，适用于高频放大器和振荡器等射频应用。以下是其核心性能参数：

基本参数
•‌漏源击穿电压‌：25V
‌•栅源击穿电压‌：25V
‌•漏源电流（Vgs=0V）‌：24mA至60mA
•‌耗散功率‌：225mW（0.225W）
•‌封装‌：SOT-23-3（SMD/SMT） ‌
射频性能
‌•高频特性‌：适用于VHF/UHF频段，共栅放大器在100MHz时可实现16dB增益，450MHz时为12dB。 ‌
•‌封装特性‌：符合 RoHS标准 ，无铅、无卤素，适用于汽车电子等高可靠性场景。 ‌
适用场景
主要用于高频放大电路、射频振荡器及混频器，具备低噪声和高速切换能力

主要特点包括：

场效应晶体管,

封装:SOT-23-3,

参数:配置:Single;

沟道类型:N沟道;

最大漏源电压:25 V;

最大门源电压:25 V;

工作温度:-55 to 150 ℃;

安装方式:Surface M

产品种类：线性稳压器

PSRR/纹波抑制—典型值：80 dB

线路调整率：50 mV

负载调节：100 mV

漏极与源极可互换
该器件的漏极和源极设计为可互换结构，适用于需要灵活连接的电路设计。 ‌
符合汽车级标准
采用S前缀封装，适用于汽车电子及其他对温度、湿度敏感的工业场景，符合AEC-Q101标准和PPAP生产流程要求。 ‌
无铅环保材料
采用无铅、无卤素/BFR的环保封装工艺，符合RoHS标准，适用于对环保要求严格的场景。 ‌
高频性能
适用于高频放大器和振荡器等电路，具备超高频带特性（JEDEC-95代码TO-236）

具体用途

• ‌高频放大器‌：利用其高频性能实现信号放大，适用于射频通信、音频放大等场景。
• ‌振荡器‌：通过其低噪声特性，可设计高频振荡电路，用于信号发生器或频率调制设备。 ‌

性能特点

• ‌漏极和源极可互换‌：设计灵活，适应不同电路布局需求。
• ‌符合AEC-Q101标准‌：满足汽车电子对可靠性的要求，具备PPAP能力。
• ‌无铅、无卤素/BFR‌：符合RoHS标准，环保兼容性高
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