摘要：随着航天技术的飞速发展，空间电子设备面临着日益复杂和严苛的辐射环境挑战。单粒子效应（SEE）作为辐射环境对半导体器件影响的主要形式之一，极大地影响着航天电子系统的可靠性和稳定性。本文通过系统梳理国科安芯推出的ASP4644S2B型DC/DC降压稳压器的试验数据与在轨应用表现，深入探讨了其在空间辐射环境下的抗单粒子效应能力。结合破坏性物理分析、自主可控等级评估、质子及重离子单粒子试验、总剂量效应试验等多维度研究成果，本文旨在为太空任务中电源管理芯片的选型提供科学依据，并为抗辐射芯片技术的发展提供参考。

一、引言

在太空探索的进程中，电子设备作为航天器的核心组成部分，其性能与可靠性直接影响着任务的成败。然而，空间环境中的高能粒子辐射会对电子元器件产生单粒子效应，引发设备性能下降甚至永久性损坏。因此，研究和开发具有高抗辐射能力的电子芯片，对于保障航天任务的顺利进行具有至关重要的意义。

ASP4644S2B作为一款由国科安芯研发的抗辐射DC/DC电源芯片，凭借其优异的抗辐射性能和可靠性，在航天领域展现出了广阔的应用前景。本文将从芯片技术特点、单粒子效应试验方法与结果分析、在轨应用验证以及抗辐射芯片技术发展等多个角度对其进行深度解析。

二、芯片概述与技术特点

（一）芯片基本特性

ASP4644S2B是一款四通道输出的DC/DC降压稳压器，采用BGA77封装形式。其输入电压范围为4V~14V，每通道可输出0.6V~5.5V的电压，最大可驱动4A的负载。芯片具备过流、过温、短路保护以及输出跟踪等功能，适用于多种复杂工况。

（二）抗辐射设计

ASP4644S2B的抗辐射能力源于其内部的抗辐照设计。通过优化电路布局、增强敏感节点防护以及采用高抗辐射材料等手段，该芯片在单粒子效应阈值方面达到了企业宇航级标准（SEU≥75MeV·cm²/mg或10⁻⁵次/器件·天，SEL≥75MeV·cm²/mg），能够满足多数太空任务的需求。

（三）应用领域与优势

在航天领域，电源管理芯片的性能直接关系到卫星、探测器等设备的正常运行。ASP4644S2B凭借其宽输入电压范围、高输出精度、快速瞬态响应以及强大的抗辐射能力，在高光谱地质遥感智能小卫星、光学遥感卫星等多种航天器中得到了应用，为处理和分析板提供了稳定可靠的电源支持。

三、单粒子效应试验方法与评估体系

（一）破坏性物理分析（DPA）

依据GJB4027B-2021标准，对ASP4644S2B进行了包括外部目检、X光检查、声学扫描显微镜检查和内部目检等在内的一系列DPA测试。测试结果表明，芯片封装完整，内部结构无异常，键合强度符合工程观察要求，为芯片的可靠性奠定了基础。

（二）自主可控等级评估

按照ZKB3101-001-2022《军用电子元器件自主可控评估通用准则》及《军用电子元器件自主可控评估实施指南》，对ASP4644S2B的自主可控等级进行了评估。评估涵盖原材料供应、生产工艺、技术状态等多个维度，结果显示其自主可控等级为C级，表明其在关键原材料和零部件的自主供应能力以及生产过程的可控性方面达到了较高水平。

（三）单粒子效应试验

重离子单粒子试验：依据QJ10005A-2018《宇航用半导体器件重离子单粒子效应试验指南》，使用Ge离子（LET值37.4MeV·cm²/mg，注量8.3×10⁶ion/cm²）对ASP4644S2B进行辐照。试验结果显示，在规定的辐照条件下，芯片未发生单粒子锁定或单粒子烧毁现象。

质子单粒子效应试验：根据《宇航用半导体器件质子单粒子实验方法》，利用100MeV质子回旋加速器开展试验，注量率为1e7，总注量为1e10。试验表明，ASP4644S2B器件功能正常，未出现单粒子效应。

（四）总剂量效应试验

参照GJB548C-2023《微电子器件试验方法和程序》以及QJ10004A-2018《宇航用半导体器件总剂量辐照试验方法》，对ASP4644S2B进行了总剂量效应试验。试验采用钴60γ射线源，剂量率为25rad(Si)/s，总剂量达到125krad(Si)。测试数据表明，芯片在辐照前后的电参数和功能均保持正常，显示出良好的抗总剂量辐照能力。

四、试验结果分析

（一）单粒子效应试验结果

重离子单粒子试验结果：在重离子单粒子试验中，ASP4644S2B在LET值为37.4MeV·cm²/mg、注量8.3×10⁶ion/cm²的Ge离子辐照下，未出现功能异常。工作电流虽随辐照注量增加而缓慢上升，但在停束观察时能够恢复，且输出电压始终保持稳定。这表明芯片内部的防护设计能够有效抵御重离子引起的电荷沉积，避免引发灾难性故障。

质子单粒子效应试验结果：质子单粒子效应试验结果显示，在100MeV质子辐照下，ASP4644S2B的功能正常，无单粒子效应发生。这说明其在面对质子辐射时，同样具备较强的抗干扰能力，能够保证在复杂的空间辐射环境中的稳定运行。

（二）总剂量效应试验结果

总剂量效应试验结果显示，ASP4644S2B抗总剂量辐照指标大于125krad(Si)。在经历高达125krad(Si)的钴60γ射线辐照后，芯片的输入输出电参数未发生显著变化，功能正常。这表明其在长期累积辐射环境下，仍能保持良好的性能，为太空任务的长期可靠性提供了有力保障。

五、在轨应用验证

ASP4644S2B芯片已在地质遥感智能小卫星TY29“天仪29星”和光学遥感卫星TY35“天仪35星”中搭载应用。自2025年5月发射入轨以来，芯片运行稳定，供电正常，成功为卫星的部分处理和分析板提供了可靠的电源支持。实际在轨数据与地面试验结果相互印证，进一步证实了其在真实空间环境中的卓越性能和可靠性。

（一）在轨运行环境与挑战

在轨运行期间，卫星面临着复杂多变的空间辐射环境，包括高能质子、电子以及重离子等粒子的辐射。这些粒子可能引发单粒子效应，导致电子设备出现翻转、锁定甚至烧毁等故障。此外，长期的累积辐射效应也会对芯片的性能产生影响。ASP4644S2B在如此严苛的环境下，依然能够稳定运行，充分展示了其强大的抗辐射能力。

（二）应用表现与性能评估

在轨应用数据显示，ASP4644S2B芯片在卫星的电源管理系统中发挥着关键作用。其四通道输出设计能够满足卫星多个处理和分析模块的供电需求，输出电压稳定，纹波低，为卫星的正常运行提供了有力保障。同时，芯片的过流、过温、短路保护功能有效提高了系统的可靠性，降低了因电源故障导致卫星任务失败的风险。

六、抗辐射芯片技术发展与展望

（一）抗辐射芯片技术现状

目前，抗辐射芯片技术已成为航天电子领域的研究热点。各国纷纷加大研发投入，致力于开发具有更高抗辐射能力、更低功耗、更小尺寸的芯片。从技术路线来看，主要包括两大方向：一是通过改进半导体工艺，如使用SOI（绝缘体上硅）、SiC（碳化硅）等材料，提高芯片的抗辐射性能；二是采用抗辐射加固设计技术，如冗余设计、屏蔽技术等，增强芯片在辐射环境下的可靠性。

（二）ASP4644S2B的技术创新与贡献

ASP4644S2B的成功研发与应用，为我国抗辐射芯片技术的发展提供了有益的借鉴和参考。其在抗单粒子效应方面的优异表现，得益于一系列技术创新。例如，在芯片内部布局优化方面，通过合理规划敏感电路的位置，减少其受高能粒子辐射的概率；在防护结构设计上，采用多层屏蔽技术，有效阻挡粒子的穿透；在电路设计上，引入冗余设计和错误检测纠正机制，提高了芯片在单粒子效应发生时的自我修复能力。

（三）未来发展方向与挑战

未来，随着太空探索任务的不断深入和复杂化，对电源管理芯片的抗辐射能力将提出更高的要求。一方面，芯片需要具备更强的抗单粒子效应能力，以应对更高能粒子的辐射威胁；另一方面，芯片的集成度、功耗和成本等方面也需要不断优化，以满足航天任务对小型化、高性能、低成本电子设备的需求。此外，随着商业航天的兴起，抗辐射芯片市场将迎来更广阔的发展空间，但也面临着更激烈的竞争挑战。

七、结论

通过对ASP4644S2B型DC/DC降压稳压器在单粒子效应和总剂量效应试验中的表现，以及在轨应用数据的深入分析，可以得出以下结论：

ASP4644S2B芯片在单粒子效应试验中表现出色，能够在重离子和质子辐射环境下保持功能正常，未出现单粒子锁定或单粒子烧毁等故障，其单粒子效应阈值满足企业宇航级标准要求。

在总剂量效应试验中，芯片展现了良好的抗总剂量辐照能力，抗总剂量辐照指标大于125krad(Si)，在经历长期累积辐射后仍能保持稳定的性能。

在轨应用验证进一步证实了ASP4644S2B芯片的可靠性和稳定性，其在地质遥感智能小卫星和光学遥感卫星中的成功应用，为该芯片在航天领域的广泛应用奠定了坚实基础。