1. ZNS SSD 的基本概念

Zoned Namespace (ZNS): ZNS 是一种新的NVMe接口规范，它将SSD的逻辑块地址空间划分为多个独立的、固定大小的“区域”（Zones）。
区域 (Zone): ZNS SSD 的基本管理单元。每个区域都有自己的写入指针（write pointer），数据只能从这个指针位置开始顺序写入。一旦写入，就不能随机覆盖，必须“重置”（reset）整个区域才能重新写入。
顺序写入限制： 这是ZNS最核心的特性。在一个区域内，数据必须严格按照顺序写入，不能跳过或随机写入。如果需要修改区域内的数据，必须将整个区域的数据（包括未修改的部分）读出，修改后，再将整个区域重置并重新顺序写入。

2. ZNS 诞生的背景：传统 SSD 的挑战

理解ZNS的必要性，首先要了解传统SSD面临的问题。

闪存转换层 (Flash Translation Layer, FTL):
- 作用： 传统SSD内部有一个复杂的FTL层，负责将主机发出的逻辑块地址（LBA）映射到NAND闪存的物理块地址（PBA）。它隐藏了NAND闪存的底层复杂性，使SSD表现得像一个传统的块设备（可以随机读写）。
- 挑战： FTL需要管理各种复杂任务，如：
  - 磨损均衡 (Wear Leveling): 确保所有NAND块均匀磨损，延长SSD寿命。
  - 垃圾回收 (Garbage Collection, GC): NAND闪存只能以页（page）为单位写入，但只能以块（block）为单位擦除。当一个块中的某些页数据失效后（被更新或删除），这个块就变成了“脏块”，其中包含有效数据和无效数据。GC就是将脏块中的有效数据读出，写入到新的干净块中，然后擦除（回收）整个脏块。
  - 写入放大 (Write Amplification, WA): GC过程会导致实际写入NAND的数据量大于主机发出的写入量。例如，主机写入1个页的数据，但为了GC，控制器可能需要移动并重新写入多个页的数据。WA是实际写入闪存的数据量与主机写入数据量的比值，WA越高，SSD寿命越短，性能越不稳定。
  - 过量配置 (Over-Provisioning, OP): 为了给FTL和GC提供足够的空间来管理数据和进行后台操作，SSD厂商通常会在SSD内部预留一部分空间不暴露给用户，这就是OP。OP越高，WA越低，性能越稳定，但用户可用容量越小。
传统SSD的弊端：
- 性能不确定性： GC是后台操作，发生在不可预测的时间，导致随机写入性能波动大，有时会出现“卡顿”现象。
- 写入放大： 导致SSD寿命缩短。
- 高功耗： 复杂的FTL和GC逻辑需要更多功耗。
- 高成本： 需要更多的NAND颗粒（用于OP），复杂的控制器芯片。

3. ZNS SSD 的工作原理

ZNS通过改变主机与SSD的交互方式来解决上述问题，将部分闪存管理职责上移到主机端。

区域 (Zone) 的结构和状态：
- 每个区域有固定的容量，例如256MB、512MB或1GB。
- 每个区域有唯一的写入指针，指示下一个写入操作的LBA。
- 区域状态（Zone States）：
  - Empty (空): 区域中没有有效数据，写入指针位于区域的起始地址。
  - Implicitly Open (隐式开放): 区域正在被写入数据，写入指针正在移动。多个区域可以同时处于隐式开放状态。
  - Explicitly Open (显式开放): 主机通过 Open 命令明确声明要向该区域写入数据。同一时间只能有有限数量（由SSD控制器决定）的区域处于显式开放状态，通常用于保证性能。
  - Closed (关闭): 主机通过 Close 命令停止向该区域写入，或隐式开放区域在一段时间没有写入后自动关闭。写入指针停止移动。
  - Full (已满): 区域中的所有LBA都已被写入数据，写入指针位于区域的末尾。
  - Read Only (只读): 区域可能包含数据，但不能再写入。通常用于特殊数据（如固件）。
  - Offline (离线): 区域不可用。
区域管理命令： 主机通过NVMe命令与ZNS SSD交互，管理区域。
- Report Zones： 获取所有区域的信息（状态、写入指针位置、容量等）。
- Zone Append： 将数据写入一个或多个区域的当前写入指针位置。这是最常用的写入方式。
- Open Zone： 显式地打开一个区域进行写入。
- Close Zone： 关闭一个已打开的区域。
- Finish Zone： 强制一个区域进入 Full 状态，即使它还没写满。
- Reset Zone： 擦除一个区域的所有数据，将其状态恢复到 Empty，写入指针回到起始位置。这是ZNS中实现“删除”或“更新”的唯一方式（通过重写整个区域）。

4. ZNS SSD 带来的优势

显著降低写入放大 (WA)： ZNS SSD的FTL变得非常简单甚至可以没有，因为主机负责将数据以顺序方式写入区域。当区域数据失效时，主机直接重置区域即可。GC操作大大简化，从而使WA接近于1。
更可预测的性能： 由于GC活动大大减少，性能波动小，随机写入性能更加稳定。
延长SSD寿命： WA的降低直接减少了NAND闪存的实际擦写次数，从而延长了SSD的耐久性。
降低过量配置 (OP) 需求： 由于GC的简化，SSD内部不需要预留大量的OP空间，可以提供更高的可用容量。
简化SSD固件： SSD控制器不再需要复杂的FTL和GC逻辑，可以更专注于读写性能优化。
更好的主机-设备协作： 主机了解闪存的物理特性，可以根据应用的需求进行更智能的数据放置和管理。

5. ZNS 对软件栈的影响（核心挑战和研究方向）

ZNS的优势是基于其对传统块设备接口的颠覆。这意味着现有的操作系统、文件系统、数据库和应用程序都无法直接、高效地使用ZNS SSD。

文件系统：
- 传统文件系统： 例如 ext4、XFS、NTFS 等，它们假定底层存储设备是随机可写的块设备。如果直接运行在ZNS上，每次写入都需要重置整个区域，效率极低。
- 日志结构文件系统 (LFS/LSM-Tree Like FS)： F2FS, Btrfs 等日志结构文件系统，其写入模式（追加写）与ZNS的顺序写入特性更契合。它们需要进行修改和优化才能在ZNS上高效运行。
- ZNS-aware 文件系统： 需要全新的文件系统设计，能感知区域、管理写入指针、智能地选择区域进行写入、高效地处理元数据、并在区域满或需要更新数据时智能地管理区域重置。Linux 内核中的 zonefs 是一个初步的ZNS文件系统，但功能有限。
数据库和键值存储：
- LSM-Tree 数据库 (e.g., RocksDB, Cassandra)： 它们的写入操作（MemTable flush、Compaction）天然是顺序的，与ZNS特性非常匹配。需要优化其compaction策略，使其能更好地利用ZNS的区域特性，例如将L0/L1层数据直接映射到ZNS区域。
- B-Tree 数据库 (e.g., MySQL, PostgreSQL)： 它们的随机写入模式对ZNS是一个挑战。需要设计新的缓存层、WAL（Write-Ahead Log）策略或数据结构来适应ZNS，例如将WAL写入ZNS区域，而将随机更新写入一个小的常规SSD区域或PMem区域。
应用程序：
- 许多应用程序直接依赖文件系统或数据库接口。
- 对于高性能应用，可能需要直接通过ZNS API（如 libzbd 库）与ZNS SSD交互，从而实现定制化的存储管理，最大化性能。
- 适合ZNS的应用： 日志系统、流媒体存储、大数据分析（特别是追加写入和批处理）、版本控制系统、归档存储等。
I/O 栈：
- 操作系统需要新的I/O调度器来管理ZNS设备的区域分配和写入调度。
- 需要新的内存管理和页缓存策略，以优化数据写入ZNS。

6. 如何学习和实践

阅读 NVMe Zoned Namespace Command Set 规范： 这是最官方、最详细的ZNS定义。
学习 libzbd 库： 这是Linux上与ZNS SSD交互的C语言库，可以帮助你理解如何编程管理区域。
使用 ZNS 模拟器：
- Linux null_blk 模块： 这是Linux内核提供的一个非常强大的模拟器，可以模拟ZNS设备，无需真实硬件即可进行软件开发和测试。
- QEMU 模拟器： QEMU 也可以模拟ZNS设备，用于虚拟机环境的测试。
关注 Linux 内核对 ZNS 的支持： 了解 zonefs、F2FS on ZNS、ZNS block layer 等进展。
阅读相关论文： 搜索FAST、USENIX ATC、OSDI、EuroSys、HotStorage等顶级会议上关于ZNS的论文，了解最新的研究进展和挑战。
NVMe-CLI 工具： 使用 nvme-cli 工具，特别是其 nvme zns 子命令，可以查看ZNS设备信息、管理区域等。

总而言之，ZNS SSD代表了存储系统从“设备管理复杂性”向“主机管理复杂性”的转变。这为上层软件带来了巨大挑战，但也开启了巨大的优化潜力和研究机会。深入理解ZNS的底层机制和其对整个系统栈的影响，是成功进行相关研究和开发的基石。

NAND 闪存 和 FTL（Flash Translation Layer） 在 SSD 中的核心作用。我们一条一条地梳理清楚：

✅ 一、为什么要把逻辑地址映射到 NAND 的物理地址？

1. 主机视角：

主机（比如操作系统）通过标准的块设备接口（如 SATA 或 NVMe）访问存储设备，发出的命令是：

“我想在逻辑地址 LBA=123456 上写入这段数据。”

主机并不知道这个逻辑地址对应底层闪存的什么地方，它只管读/写某个“地址”。

2. SSD内部视角（NAND 闪存）：

但 SSD 里存储数据的介质是 NAND 闪存，它有如下特点：

NAND 不能随机覆盖写入，只能：
- 把数据“写到空白页”。
- 如果想更新某个数据，只能把整块擦掉后再重写（成本很高）。
NAND 分为“页”（最小写入单元）和“块”（最小擦除单元）：
- 通常：页 = 4KB，块 = 256页（1MB）。

所以：

主机说：“请把数据写入 LBA 123456”

SSD 不能直接写进 NAND 对应的那个位置 —— 那里可能已经有数据，必须重写整块，非常低效。

3. FTL 的作用：

FTL（Flash Translation Layer）就像一个中介或“翻译器”，它做了这几件事：

主机	→	FTL	→	NAND 闪存
LBA 123456	→	查表	→	找到一个空页，比如 Block 7, Page 42
写入数据	→		→	实际写入到该物理地址

FTL 的核心功能：

建立一个 LBA → PBA（物理块地址） 的映射表。
管理数据更新、GC、磨损均衡等任务。
屏蔽 NAND 的写入限制，让 SSD 像机械硬盘一样“看起来可以随便写”。

✅ 二、什么是 NAND？

NAND 是一种非易失性存储器，属于闪存（Flash Memory）的一种：

类型	特点
NAND Flash	大容量、便宜、写入快、擦除复杂，用于 SSD、U盘、SD卡等
NOR Flash	启动速度快、可直接执行代码，常用于BIOS、嵌入式系统

NAND 的结构特点：

分为 Block（块） → Page（页）；
通常一次写入一页（例如 4KB），但只能一次性擦除整个块（例如 1MB）；
数据写入必须是“空页写入”（不能覆盖写过的数据）；
具有寿命限制（每个块只能擦除一定次数）。

✅ 三、现在的 SSD 是不是还是用 NAND 存储数据？

是的。

当前主流的 SSD（无论是消费级还是企业级）几乎都使用 NAND 闪存 作为核心存储介质。以下是几种常见的 NAND 类型：

类型	每个单元存几位	特点
SLC（Single Level Cell）	1位/单元	最快、最耐用、最贵（用于缓存）
MLC（Multi Level Cell）	2位/单元	较好，企业级常用（已被TLC取代）
TLC（Triple Level Cell）	3位/单元	目前主流消费级 SSD 使用
QLC（Quad Level Cell）	4位/单元	更便宜但耐用性更差（适合冷数据）

此外，还有：

3D NAND：把 NAND 堆叠在垂直方向，提升密度、降低成本。
V-NAND（Vertical NAND）：Samsung 的 3D NAND 名称。

✅ 四、小结

问	解答
为什么 SSD 要将主机的逻辑地址映射到 NAND 的物理地址？	因为 NAND 的物理写入限制多，不能直接更新原位置，FTL 需要找空页写入并建立映射。
这样做是不是因为 SSD 都是用 NAND 存储数据？	是的，现在的 SSD 几乎都使用 NAND 闪存作为存储介质。
NAND 是什么？	一种非易失性存储器，是 SSD 的核心存储芯片。具有页写入、块擦除、寿命限制等特性。