NAND闪存(NAND Flash)是什么？
NAND闪存（NAND Flash）详解
NAND闪存是一种非易失性存储介质（断电不丢失数据），广泛应用于SSD、U盘、手机存储等设备中。NAND Flash 的全称是 “Negative-AND Flash”（与非型闪存），其名称源自其底层存储单元的电路结构——基于**“与非门”（NAND Gate）**逻辑设计。它通过晶体管浮栅捕获电荷来存储数据，具有高密度、低成本的优势，是现代数字存储的基石。
📌 NAND闪存的核心原理
1. 基本存储单元
- 浮栅MOSFET：
每个存储单元包含一个浮栅晶体管，通过注入或释放电子表示0或1。- 编程（写）：高电压将电子注入浮栅（变为
0）。 - 擦除：强电场清除浮栅电子（恢复为
1）。
- 编程（写）：高电压将电子注入浮栅（变为
2. 存储类型
| 类型 | 每单元比特数 | 寿命（P/E周期） | 成本 |
|---|
)
